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芯联集成获得发明专利授权：“金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法”

2024-08-07 【字体：大中小】

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权，专利名为“金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法”，专利申请号为CN202110703929.0，授权日为2024年6月14日。

专利摘要：本发明提供了一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，所述金属薄膜的制造方法包括：提供一衬底；执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。本发明的技术方案能够避免金属薄膜出现铜析出的问题，从而避免导致对金属薄膜刻蚀时出现刻蚀残留。

今年以来芯联集成新获得专利授权40个，较去年同期增加了37.93%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

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